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ZXMN6A09DN8TA

  • 廠家：Diodes Incorporated
  • 封裝：8-SO
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：5,717 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：13.370
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

  • 包裝

    剪切帶 （CT） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    2 個(gè) N 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    4.3A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    40 毫歐 @ 8.2A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    24.2nC @ 5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    1407pF @ 40V

  • 功率 - 最大值

    1.25W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注

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