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ZXMN2A04DN8TC

  • 廠家:Diodes Incorporated
  • 封裝:8-SOP
  • 批號:--
  • 數(shù)量:電詢
  • 價格:詢價
  • 類型:FET - 陣列
  • PDF:ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

  • 包裝

    帶卷 (TR) 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    2 個 N 溝道(雙)

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時)

    5.9A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值)

    25 毫歐 @ 5.9A,4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)

    700mV @ 250μA (最?。?/p>

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    22.1nC @ 5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    1880pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1.8W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注

特價專區(qū)