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NTMS4N01R2G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：8-SOIC N
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：FET - 單
  • PDF：NTMS4N01R2G

NTMS4N01R2G

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門(mén)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    20V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    3.3A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    40 毫歐 @ 4.2A，4.5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    1.2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    16nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    1200pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    770mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注

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