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NTMD6601NR2G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：8-SOIC N
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 陣列
  • PDF：NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    2 個 N 溝道（雙）

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    80V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    1.1A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    215 毫歐 @ 2.2A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    3V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    15nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    400pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    600mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注

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