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NTD60N02R-35G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：I-Pak
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：FET - 單
  • PDF：NTD60N02R-35G

NTD60N02R-35G

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    25V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    8.5A （Ta）， 32A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    10.5 毫歐 @ 20A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    14nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    1330pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    1.25W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-251-3 短截引線，IPak

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK

  • 產(chǎn)品描述備注

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