NTD5806NT4G
帶卷 (TR) 可替代的包裝
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MOSFET N 通道,金屬氧化物
邏輯電平門(mén)
40V
33A (Tc)
19 毫歐 @ 15A,10V
2.5V @ 250μA
38nC @ 10V
860pF @ 25V
39W
表面貼裝
TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
MOSFET N-CH 40V 33A DPAK