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NP82N04NDG-S18-AY

  • 廠家：Renesas Electronics America
  • 封裝：TO-262-3
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：8.848
  • 類型：FET - 單
  • PDF：NP82N04NDG-S18-AY

NP82N04NDG-S18-AY

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    40V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    82A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    4.2 毫歐 @ 41A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    150nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    9000pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    1.8W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-262-3 整包， I2Pak

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    MOSFET N-CH 40V 82A MP-25SK

  • 產(chǎn)品描述備注

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