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NP50P06KDG-E1-AY

  • 廠家：Renesas Electronics America
  • 封裝：TO-263
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：10.874
  • 類型：FET - 單
  • PDF：NP50P06KDG-E1-AY

NP50P06KDG-E1-AY

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    50A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    17 毫歐 @ 25A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    95nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    5000pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1.8W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

  • 產(chǎn)品描述備注

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