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NP109N055PUJ-E1B-AY

  • 廠家：Renesas Electronics America
  • 封裝：TO-263
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：11.321
  • 類型：FET - 單
  • PDF：NP109N055PUJ-E1B-AY

NP109N055PUJ-E1B-AY

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    55V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    110A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    3.2 毫歐 @ 55A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    180nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    10350pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    1.8W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

  • 產(chǎn)品描述備注

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