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NDD02N60Z-1G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：I-Pak
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：698 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：5.180
  • 類型：FET - 單
  • PDF：NDD02N60Z-1G

NDD02N60Z-1G

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    600V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    2.2A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    4.8 歐姆 @ 1A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    4.5V @ 50μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    10.1nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    274pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    57W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    MOSFET N-CH 600V IPAK

  • 產(chǎn)品描述備注

特價(jià)專區(qū)

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