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MMBFJ175LT1G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：SOT-23-3（TO-236）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：10,908 - 立即發(fā)貨
  • 價格：詢價
  • 類型：JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)）
  • PDF：MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    P 溝道

  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)

    30V

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    -

  • 不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)

    7mA @ 15V

  • 漏極電流 (Id) - 最大值

    -

  • 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）

    3V @ 10nA

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    11pF @ 10V（VGS）

  • 電阻 - RDS（開）

    125 歐姆

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    225mW

  • 產(chǎn)品簡介說明

    JFET P-CH 30V 225MW SOT23

  • 產(chǎn)品描述備注

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