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MKI100-12E8

  • 廠家：IXYS
  • 封裝：E3
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：IGBT - 模塊
  • PDF：MKI100-12E8

MKI100-12E8

  • 系列

    -

  • IGBT 類型

    NPT

  • 配置

    全橋反相器

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    1200V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    165A

  • 功率 - 最大值

    640W

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)

    2.5V @ 15V，100A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    1.4mA

  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)

    7.4nF @ 25V

  • 輸入

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻

    無(wú)

  • 安裝類型

    底座安裝

  • 封裝/外殼

    E3

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 165A E3

  • 產(chǎn)品描述備注

特價(jià)專區(qū)

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