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IXFN21N100Q

  • 廠家：IXYS
  • 封裝：SOT-227B
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：176.120
  • 類型：FET - 模塊
  • PDF：IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

  • 包裝

    管件

  • 系列

    HiPerFET??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    1000V（1kV）

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    21A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    500 毫歐 @ 500mA，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    5V @ 4mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    170nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    5900pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    520W

  • 安裝類型

    底座安裝

  • 封裝/外殼

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

  • 產(chǎn)品描述備注

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