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HN1B04FU-GR(L,F,T)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：US6
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：5,545 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：晶體管（BJT） - 陣列
  • PDF：HN1B04FU-GR(L,F,T)

HN1B04FU-GR(L,F,T)

  • 包裝

    Digi-Reel? 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    NPN，PNP

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    150mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    50V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）

    250mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    200 @ 2mA，6V

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 頻率 - 躍遷

    150MHz

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    TRANSISTOR NPN/PNP US6

  • 產(chǎn)品描述備注

特價(jià)專區(qū)

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