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BUK652R0-30C,127

  • 廠家：NXP Semiconductors
  • 封裝：TO-220AB
  • 批號：--
  • 數(shù)量：989 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：21.350
  • 類型：FET - 單
  • PDF：BUK652R0-30C,127

BUK652R0-30C,127

  • 包裝

    管件

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    120A

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    2.2 毫歐 @ 25A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    2.8V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    229nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    14964pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    306W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-220-3

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH TRENCH TO220AB

  • 產(chǎn)品描述備注

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