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BSZ12DN20NS3G

  • 廠家：Infineon Technologies
  • 封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：10,000 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：4.555
  • 類型：FET - 單
  • PDF：BSZ12DN20NS3G

BSZ12DN20NS3G

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    OptiMOS??

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    200V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    11.3A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    125 毫歐 @ 5.7A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 25μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    8.7nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    680pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    50W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-PowerTDFN

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明

    MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

  • 產(chǎn)品描述備注

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