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BFR30LT1G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：SOT-23-3（TO-236）
  • 批號：--
  • 數量：電詢
  • 價格：詢價
  • 類型：JFET（結點場效應）
  • PDF：BFR30LT1G

BFR30LT1G

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    N 溝道

  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)

    -

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    25V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 時的電流 - 漏極 (Idss)

    4mA @ 10V

  • 漏極電流 (Id) - 最大值

    -

  • 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）

    5V @ 0.5nA

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    5pF @ 10V

  • 電阻 - RDS（開）

    -

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    225mW

  • 產品簡介說明

    JFET N-CH 225MW SOT23

  • 產品描述備注

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