SI3585DV-T1-GE3

包裝
Digi-Reel? 可替代的包裝
系列
TrenchFET?
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
2A，1.5A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
125 毫歐 @ 2.4A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
600mV @ 250μA （最?。?/p>
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
-
功率 - 最大值
830mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
產(chǎn)品描述備注

購買須知

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