ZXMC3A18DN8TA

包裝
帶卷（TR）
系列
-
FET 類型
N 和 P 溝道
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
5.8A，4.8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
25 毫歐 @ 5.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA （最?。?/p>
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
36nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
1800pF @ 25V
功率 - 最大值
1.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
產(chǎn)品描述備注

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