BSS139 H6327

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
SIPMOS?
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
耗盡模式
漏源極電壓 (Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
100mA （Ta）
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）
14 歐姆 @ 100μA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
1V @ 56μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
3.5nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
76pF @ 25V
功率 - 最大值
360mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
產品簡介說明
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
產品描述備注

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