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ZXMN10A25K

  • 廠家:Diodes Incorporated
  • 封裝:TO-252-3
  • 批號:--
  • 數量:電詢
  • 價格:詢價
  • 類型:FET - 單
  • PDF:ZXMN10A25K
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ZXMN10A25K

  • 包裝

    帶卷 (TR)

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    100V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時)

    4.2A (Ta)

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值)

    125 毫歐 @ 2.9A,10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    17.16nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    859pF @ 50V

  • 功率 - 最大值

    2.11W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

  • 產品簡介說明

    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

  • 產品描述備注

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