STB20NM50-1

包裝
管件
系列
MDmesh??
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)
550V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
20A （Tc）
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
250 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
56nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
1480pF @ 25V
功率 - 最大值
192W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
產(chǎn)品描述備注

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